English
Ląstelių gamyklakultūros technologija yra plačiai naudojamas kultivavimo metodas daugeliui didelio masto kultūrų. Kultivuojant ląsteles, tai turės įtakos daug veiksnių, trukdančių normaliam ląstelių augimui ir dauginimuisi. Radiacija ir ultragarso bangos yra vienos iš jų.
Matoma šviesa: matomos šviesos bangos ilgis yra 390–780 nm. Įvairios spalvos šviesa gali sukelti ląstelių degeneraciją, pailginti branduolio dalijimosi tarpfazę ir žymiai sumažinti ląstelių gebėjimą prisitvirtinti prie sienos. Todėl naudojant ląstelių gamyklą ląstelių auginimui in vitro, reikia vengti tiesioginių saulės spindulių, o kultivuoti tamsoje arba kiek įmanoma trumpiau laikyti.
Ultravioletiniai spinduliai: ląstelės kurios labai toleruoja silpnus UV spindulius, mažai keičiasi, tačiau pažeidžiamos jautrios ląstelės. Kai ultravioletiniai spinduliai stiprūs, izoliuotos ląstelės rodo, kad: negalima atlikti visiškos mitozės; sinerezė padidėja mitozės metu; mitozės metu sumažėja citoplazminis pūtimas. Apšvitintame paviršiuje susidaro pūslės, po to ląstelės plečiasi ir atsiranda daugiau žalos.
Spinduliavimas: rentgeno spinduliai akivaizdžiai pažeidžia ląsteles, B spinduliai gali paveikti branduolio dalijimąsi, o R spinduliai sumažina branduolio dalijimosi skaičių ir sukelti nenormalų branduolio dalijimąsi, o tai gali sukelti ląstelių mirtį.
Ultragarsas: veikiant ultragarso vibracijai, ląstelės greitai plyš, o citoplazma iš pradžių tekės netvarkingai, taip pat labai pasikeis koloidinė protoplazmos struktūra. Sustabdžius ultragarso vibraciją, ją galima atkurti. Ląstelių mirties priežastis yra kavitacija. Kai ultragarso banga yra 2,5 W/cm2, ląstelės pažeidžiamos, o chromosomos nenormalios. Branduolinės chromosomos pirmiausia iškraipomos.
Radiacija ir ultragarso bangos yra svarbūs veiksniai naudojant ląstelių gamyklas ląstelių kultūrai. Be to, tokie veiksniai kaip temperatūra, osmosinis slėgis ir pH vertė taip pat turės įtakos ląstelių augimui ir dauginimuisi. Kontroliuojant šiuos veiksnius galima užtikrinti normalų ląstelių augimą.
The FAI climbed 5.9 percent year-on-year in the first 11 months of 2018, quickening from the 5.7-percent growth in Jan-Oct, the National Bureau of Statistics (NBS) said Friday in an online statement.
The key indicator of investment, dubbed a major growth driver, hit the bottom in August and has since started to rebound steadily.
In the face of emerging economic challenges home and abroad, China has stepped up efforts to stabilize investment, in particular rolling out measures to motivate private investors and channel funds into infrastructure.
Friday's data showed private investment, accounting for more than 60 percent of the total FAI, expanded by a brisk 8.7 percent.
NBS spokesperson Mao Shengyong said funds into weak economic links registered rapid increases as investment in environmental protection and agriculture jumped 42 percent and 12.5 percent respectively, much faster than the average.
In breakdown, investment in high-tech and equipment manufacturing remained vigorous with 16.1-percent and 11.6-percent increases respectively in the first 11 months. Infrastructure investment gained 3.7 percent, staying flat. Investment in property development rose 9.7 percent, also unchanged.