সেল ফ্যাক্টরিতে কোষের সংস্কৃতির জন্য চারটি শর্ত

হল কোষ সংস্কৃতির ভোগ্য সামগ্রীর একটি বহু-স্তর কাঠামো। সাধারণ স্পেসিফিকেশন 1 স্তর, 2 স্তর, 5 স্তর, 10 স্তর, 40 স্তর, ইত্যাদি অন্তর্ভুক্ত। স্তরগুলির সংখ্যা যত বেশি হবে, সংস্কৃতির এলাকা তত বড় হবে। এই ভোগ্য পদার্থটি মূলত অনুগত কোষের সংস্কৃতির জন্য ব্যবহৃত হয়, যেখানে কোষের বৃদ্ধির জন্য নিম্নলিখিত শর্তগুলি প্রয়োজনীয়:1. cell factory

Sterile environment অ-বিষাক্ততা এবং জীবাণুহীনতা হল কোষ কারখানায় কোষ গঠনের জন্য গুরুত্বপূর্ণ শর্ত। ভিভোতে, ডিটক্সিফিকেশন সিস্টেম এবং ইমিউন সিস্টেম অণুজীব বা অন্যান্য ক্ষতিকারক পদার্থের আক্রমণকে প্রতিহত করতে পারে, কিন্তু ইন ভিট্রো কালচারের প্রক্রিয়ায়, কোষগুলি শরীরের প্রতিরোধ ব্যবস্থার সুরক্ষার অভাব করে এবং অণুজীবের বিরুদ্ধে রক্ষা করার এবং ক্ষতিকারক পদার্থগুলিকে ডিটক্সিফাই করার ক্ষমতা হারিয়ে ফেলে। . ভিট্রো পরিবেশে কোষগুলি বৃদ্ধি এবং পুনরুত্পাদন করতে পারে তা নিশ্চিত করার জন্য, একটি জীবাণুমুক্ত কাজের ক্ষেত্র, ভাল ব্যক্তিগত স্বাস্থ্যবিধি, জীবাণুমুক্ত বিকারক এবং মিডিয়া এবং অ্যাসেপটিক পরিচালনা নিশ্চিত করা প্রয়োজন৷

2৷ সঠিক তাপমাত্রা

সাধারনত, স্তন্যপায়ী এবং এভিয়ান কোষের জন্য উপযুক্ত তাপমাত্রা হল ভিট্রোতে 37-38 ডিগ্রি সেলসিয়াস। অনুপযুক্ত পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা কোষের বৃদ্ধিকে প্রভাবিত করবে। নিম্ন তাপমাত্রায় কোষের সহনশীলতা উচ্চ তাপমাত্রার তুলনায় শক্তিশালী। নিম্ন তাপমাত্রায়, কোষের বিপাকীয় কার্যকলাপ এবং মাইটোটিক ক্ষমতা হ্রাস পায়। যদি তাপমাত্রা 0 °C এর কম না হয়, যদিও কোষের বিপাক প্রভাবিত হয়, কোন ক্ষতি নেই; 25 থেকে 35 ডিগ্রি সেলসিয়াসে, কোষগুলি ধীর গতিতে বৃদ্ধি পায়; কিন্তু যদি কয়েক ঘন্টার জন্য 40 ডিগ্রি সেলসিয়াস তাপমাত্রায় রাখা হয়, তবে এটি শুধুমাত্র কোষের বেঁচে থাকা এবং বৃদ্ধির জন্য প্রতিকূল নয়। , এবং এমনকি এর মৃত্যুর দিকেও নিয়ে যায়।

3. উপযুক্ত অসমোটিক চাপ

হাইপারটোনিক বা হাইপোটোনিক দ্রবণ কোষগুলি ভাঁজ, ফুলে ও ফেটে যেতে পারে। অতএব, ভিট্রোতে কোষের সংস্কৃতির জন্য অসমোটিক চাপ একটি গুরুত্বপূর্ণ শর্ত। ভিট্রোতে সংষ্কৃত বেশিরভাগ কোষের অসমোটিক চাপের একটি নির্দিষ্ট সহনশীলতা থাকে। ব্যবহারিক প্রয়োগে, বেশিরভাগ কোষে 260-320 mmol/L একটি অসমোটিক চাপ প্রয়োগ করা যেতে পারে।

4। গ্যাস পরিবেশ এবং pH

কোষের ভিট্রো সংস্কৃতির জন্য একটি আদর্শ গ্যাস পরিবেশ প্রয়োজন। অক্সিজেন এবং কার্বন ডাই অক্সাইড কোষ বেঁচে থাকার জন্য প্রয়োজনীয় শর্ত। অক্সিজেন কোষের ট্রাইকারবক্সিলিক অ্যাসিড চক্রে অংশগ্রহণ করে, কোষের বেঁচে থাকা, বিপাক এবং সংশ্লেষণের জন্য শক্তি প্রদান করে; কার্বন ডাই অক্সাইড শুধুমাত্র কোষের মেটাবোলাইট নয়, কোষের বৃদ্ধির জন্য একটি অপরিহার্য উপাদান, এটি সংস্কৃতি মাধ্যমের pH বজায় রাখার সাথেও সম্পর্কিত। বেশিরভাগ কোষের জন্য উপযুক্ত pH পরিসর প্রায়ই 7.2 থেকে 7.4 হয়। উন্মুক্ত সংস্কৃতিতে, 5% কার্বন ডাই অক্সাইড গ্যাসের অনুপাত উপযুক্ত।

সেল ফ্যাক্টরিতে কোষের চাষ করার জন্য উপরের চারটি প্রধান শর্ত। এই শর্তগুলি পরিবেশগত। এছাড়াও, কোষের বৃদ্ধির জন্য সিরাম, সংস্কৃতির মাধ্যম এবং কোষের বৃদ্ধির জন্য প্রয়োজনীয় অন্যান্য পুষ্টি যোগ করতে হবে, যা স্বাভাবিক কোষের বৃদ্ধি নিশ্চিত করার জন্য একটি মূল কারণ।

The above are the four major conditions for culturing cells in cell factories. These conditions are environmental. In addition, cell growth also needs to add serum, culture medium and other nutrients required for cell growth, which is also a key factor to ensure normal cell growth.

The FAI climbed 5.9 percent year-on-year in the first 11 months of 2018, quickening from the 5.7-percent growth in Jan-Oct, the National Bureau of Statistics (NBS) said Friday in an online statement.

The key indicator of investment, dubbed a major growth driver, hit the bottom in August and has since started to rebound steadily.

In the face of emerging economic challenges home and abroad, China has stepped up efforts to stabilize investment, in particular rolling out measures to motivate private investors and channel funds into infrastructure.

Friday's data showed private investment, accounting for more than 60 percent of the total FAI, expanded by a brisk 8.7 percent.

NBS spokesperson Mao Shengyong said funds into weak economic links registered rapid increases as investment in environmental protection and agriculture jumped 42 percent and 12.5 percent respectively, much faster than the average.

In breakdown, investment in high-tech and equipment manufacturing remained vigorous with 16.1-percent and 11.6-percent increases respectively in the first 11 months. Infrastructure investment gained 3.7 percent, staying flat. Investment in property development rose 9.7 percent, also unchanged.